证券之星消息，瑞纳智能(301129)07月22日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。
投资者提问：董秘好，公司在第三代半导体SiC单晶生长和设备方面，进展如何？谢谢
瑞纳智能回复：答：尊敬的投资者，您好！根据公司 2024 年年度报告，公司半导体业务研发工作已取得阶段性成果，具体进展如下 在材料研发方面：面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备(电阻式双温区长晶炉)的调试并投入使用；碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。 在设备研发方面：完成2台电阻式双温区长晶炉的组装调试，并稳定投产运行中，设备借鉴目前行业主流工艺长晶路线；完成1台籽晶热压键合炉的组装和调试，该设备主要用于籽晶片与石墨纸、石墨托的热压粘接，目前已投产运行，经实际验证，设备大幅提升了整体热压粘接成型后的良率；用于籽晶热压前的预压，将镀膜后的籽晶片结合石墨件置于软压设备中，通过弹性材料的均匀挤压，保证籽晶片和涂胶后的石墨件贴合完整。感谢您的关注！
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